|
Корпус | 8-SO |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -45°C ~ 125°C |
Напряжение питания | 8 V ~ 16.6 V |
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 600V |
Число выходов | 2 |
Число конфигураций | 1 |
Ток пиковое значение | 400mA |
Тип входа | Inverting |
Конфигурация | Half Bridge |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB17N50L | Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFB17N50L | Транзистор полевой N-канальный MOSFET | VISHAY | ||||||
IRFB17N50L | Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 227.88 | ||||||
IRFB17N50L | Транзистор полевой N-канальный MOSFET | Vishay/Siliconix | ||||||
LM4871M | NATIONAL SEMICONDUCTOR | |||||||
LM4871M | 78.32 | |||||||
LM4871M | NSC | |||||||
LM4871M | NATIONAL SEMICONDUCTOR | |||||||
LM4871M | США | |||||||
LM4871M | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА | |||||||
LM4871M | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
STGY40NC60VD | N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а | ST MICROELECTRONICS | ||||||
STGY40NC60VD | N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а | STMicroelectronics | ||||||
STGY40NC60VD | N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а | КИТАЙ | ||||||
STGY40NC60VD | N-канальный быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 50 а | 1 283.40 |
|