|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1PS76SB10 |
|
Ограничительный диод шоттки
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1PS76SB10 |
|
Ограничительный диод шоттки
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1PS76SB10 |
|
Ограничительный диод шоттки
|
|
|
|
|
|
|
1PS76SB10 |
|
Ограничительный диод шоттки
|
NXP
|
1 160
|
|
|
|
|
1PS76SB10 |
|
Ограничительный диод шоттки
|
PHILIPS
|
8 571
|
|
|
|
|
2SC3357 |
|
Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SC3357 |
|
Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт
|
|
|
62.64
|
|
|
|
2SC3357 |
|
Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт
|
ISC
|
242
|
21.21
|
|
|
|
2SC3357 |
|
Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC3357 |
|
Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC3357 |
|
Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт
|
ICS COMPONENTS
|
160
|
27.53
|
|
|
|
2SC3357 |
|
Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт
|
TECH PUB
|
1 390
|
5.48
|
|
|
|
BAV103-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
VISHAY
|
12 688
|
5.88
|
|
|
|
BAV103-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
BAV103-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
|
972
|
4.07
|
|
|
|
BAV103-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
BAV103-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
190 554
|
2.93
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
21 150
|
4.92
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
108 948
|
2.87
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 800
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
29 216
|
8.56
|
|
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
4 235
|
35.50
|
|
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
|
|
74.00
|
|
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
BOURNS
|
551
|
|
|
|
|
SDR0805-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн SMD 7,8x5,3mm
|
ВОURNS
|
|
|
|