MPSA42 NPN

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4148 T/B	Импульсный диод 150 мА,100В	DC COMPONENTS	71 472	1.05
1N4148 T/B	Импульсный диод 150 мА,100В	EIC
1N4148 T/B	Импульсный диод 150 мА,100В		19 988	5.28
RS202	Мост 2А, 100В	DC COMPONENTS
RS202	Мост 2А, 100В		2 960	8.86
RS202	Мост 2А, 100В	DALLAS
RS202	Мост 2А, 100В	DS
RS202	Мост 2А, 100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
RS202	Мост 2А, 100В	MIC	3 965	13.43
RS202	Мост 2А, 100В	KINGTRONICS
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SEMTECH
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MCC
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс		246	9.60
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	DC COMPONENTS	13 446	3.34
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MASTER INSTRUMENT CO
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MIC	13 723	1.94
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	КИТАЙ	532	12.24
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YJ	3 040	3.94
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	KINGTRONICS
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY ME
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	LGE	1 520	1.97
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	WUXI XUYANG	14 508	5.11
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE (YJ)
SF18	Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	1
TLP627[F]	Оптрон 1xCh 5kV >50%			39.20
TLP627[F]	Оптрон 1xCh 5kV >50%	TOSHIBA
TLP627[F]	Оптрон 1xCh 5kV >50%	TOS
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...		1 615	5.28
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	КРЕМНИЙ	266	12.24
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	СВЕТЛАНА	21 330	3.00
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	БРЯНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	РИГА	5 755	3.00
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	НАЛЬЧИК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	МИНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	ИНТЕГРАЛ