FDMC8884

Версия для печати

Технические характеристики FDMC8884

Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	685pF @ 15V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-MLP, Power33
Корпус	MLP (3.3x3.3)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDMC8884 (MOSFET)

N-Channel Power Trench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDMC8884 datasheet
296.5 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BQ24740RHDR		Texas Instruments
BQ24740RHDR		TEXAS INSTRUMENTS
BQ24740RHDR
ICE2A165	SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz	INFINEON	18	150.00
ICE2A165	SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz			156.80
ICE2A165	SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz	Infineon Technologies
ICE2A165	SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz	США
ICE2A165	SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
ICE2A165	SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz	INFINEON TECH
L78M15CDT-TR		ST MICROELECTRONICS
L78M15CDT-TR		ST MICROELECTRONICS SEMI
L78M15CDT-TR		STMicroelectronics
L78M15CDT-TR
TPS51125RGER	Микросхема управления питанием	TEXAS INSTRUMENTS
TPS51125RGER	Микросхема управления питанием		2
TPS51125RGER	Микросхема управления питанием	TEXAS INSTRUMENTS
TPS51125RGER	Микросхема управления питанием	TEXAS
TPS51225CRUKR		TEXAS INSTRUMENTS