Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 225mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
|
|
18.80
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INFINEON
|
1
|
11.87
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
LGE
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
LUGUANG
|
4 576
|
8.68
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SMCMICRO
|
12 502
|
5.13
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SUNMATE
|
18 282
|
1.68
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
VISHAY
|
18 384
|
13.04
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
|
|
|
|
|
|
293D226X9010B2TE3 |
|
Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
BC56-12SRWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...
|
KB
|
|
|
|
|
|
BC56-12SRWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
BC56-12SRWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...
|
KGB
|
|
|
|
|
|
BC56-12SRWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...
|
|
|
129.48
|
|
|
|
BC56-12SRWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий катод, 14,22mm, красный суперяркий (640 нм), ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
81 877
|
3.88
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
7 927
|
5.13
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
24 336
|
4.58
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 812
|
14.21
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
7 171
|
14.72
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
8 341
|
5.99
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
14 400
|
3.78
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
LTL
|
|
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
LITTELFUSE
|
1
|
18.89
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
|
|
140.00
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
LITTELFUSE
|
1
|
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
TECH PUB
|
1 802
|
7.10
|
|
|
|
SP0503BAHTG |
|
Диодная защитная сборка (5 каналов, Т=-40°C to 85°C)
|
MSKSEMI
|
2 187
|
5.78
|
|