Версия для печати
Технические характеристики IRFU110PBF

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 2.6A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	180pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	TO-251

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM2575HVT-5.0(FLOW LB03)			National Semiconductor
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SEMTECH
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MCC
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс		246	10.08
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	DC COMPONENTS	676	6.10
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MASTER INSTRUMENT CO
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MIC	3 740	1.84
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	КИТАЙ	532	9.07
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YJ
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	KINGTRONICS
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY ME	4 462	5.45
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	LGE	18 400	2.07
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	WUXI XUYANG	14 353	4.95
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE (YJ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	1
		ФД265А					67.40

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"