FDS9431A
P-канальный полевой транзистор (Vds=-20V, Id=-3,5A, Rds(on) =130mOhm@Vgs=4,5V, P=1W)
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 405pF @ 10V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDS9431A (Мощные полевые МОП транзисторы) P-Channel 2.5V Specified MOSFET
Производитель:
|
