IRLML6401TRPBF

Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRLML6401TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	2 431	3-4 недели Цена по запросу
IRLML6401TRPBF (INFINEON)	19 553	28.38
IRLML6401TRPBF	8 880	11.57
IRLML6401TRPBF (TRR)	6 880	4.92

Силовой транзистор
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 12V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 4.5 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 4.3 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.05 Ом

Версия для печати

Технические характеристики IRLML6401TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	830pF @ 10V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLML6401TRPBF datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LQM21FN100N00L	Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...	MURATA	1 120	10.68
LQM21FN100N00L	Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...	MUR	116 781	4.42
LQM21FN100N00L	Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...
LQM21FN100N00L	Чип-дроссель SMD 0805 (L=10 uH +/-30%@F=1MHz, Idc=60 mA, R=0.5 Ohm +/-30%, ...	Murata Electronics North America
MC34119D	Маломощный УНЧ	ON SEMICONDUCTOR
MC34119D	Маломощный УНЧ	UTC
MC34119D	Маломощный УНЧ	MITSUBISHI
MC34119D	Маломощный УНЧ	ST MICROELECTRONICS
MC34119D	Маломощный УНЧ	UTRON
MC34119D	Маломощный УНЧ			48.60
MC34119D	Маломощный УНЧ	ИНТЕГРАЛ
MC34119D	Маломощный УНЧ	MOT
MCP73831T-2ATI/OT				86.40
MCP73831T-2ATI/OT		MICRO CHIP	460	146.62
MCP73831T-2ATI/OT		MICRO CHIP	32
MCP73831T-2ATI/OT		Microchip Technology
SN74LVC1G3157DBVR		TEXAS INSTRUMENTS	48	17.54
SN74LVC1G3157DBVR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC1G3157DBVR			9 600	6.48
SN74LVC1G3157DBVR		TEXAS
SN74LVC1G3157DBVR		TEXAS INSTRUMEN
SN74LVC1G3157DBVR		YOUTAI	65 492	5.81
SN74LVC1G3157DBVR		UMW-YOUTAI
TL431ACLP	Источник опорного напряжения		113	21.60
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	FAIR
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	ON SEMICONDUCTOR
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	TEXAS INSTRUMENTS
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	FAIRCHILD
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	FAIRCHILD
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	ON SEMICONDUCTOR	48
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	OTHER
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	Fairchild Semiconductor
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	Microsemi Analog Mixed Signal Group
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	ST MICROELECTRONICS
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	TEXAS
TL431ACLP	Источник опорного напряжения	TEXAS INSTRUMEN

IRLML6401TRPBF

Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: