Версия для печати
Технические характеристики BD681

Корпус	SOT-32-3
Корпус (размер)	TO-126-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BD670 (Биполярные транзисторы Дарлингтона) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Также в этом файле: BD681 Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD681 datasheet 90.18Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR
		2N6039
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR	692
		2N6039			STMicroelectronics
		2N6039			ST MICROELECTRO
		2N6039			ST MICROELECTRONICS
		2N6039			ISCSEMI
		2N6039			КИТАЙ
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS	1 796	23.89
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W			48.44
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	SGS THOMSON
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	STMicroelectronics
		BD677		Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W	ST MICROELECTRO
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ON SEMICONDUCTOR
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS
		MJE802		Транзистор биполярный составной			91.12
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE802		Транзистор биполярный составной	STMicroelectronics
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ		578	57.75
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	КРЕМНИЙ	631	93.48
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	БРЯНСК	3 262	70.00
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	УЛЬЯНОВСК
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ФРЯЗИНО
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	RUS
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ЭЛЬТАВ	388	20.00
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	КРЕМН
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ЭЛЬДАГ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	FAI/QTC
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRONICS	119	72.00
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ON SEMICONDUCTOR
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	FSC
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)			30.32
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ON SEMICONDUCTOR	44
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	STMicroelectronics
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	КИТАЙ
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ФИЛИППИНЫ
		BD682		Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)	ST MICROELECTRO
		HS077-40
		IRFI540N		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFI540N		Транзистор полевой			104.12
		IRFI540N		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER	153
		IRFI540N		Транзистор полевой	КИТАЙ
		IRFI540N		Транзистор полевой	INFINEON
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)			144.00
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS	128	240.41
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMIC
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS-FAIR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	SPTECH	852	38.15
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	JSMICRO	1 000	52.13
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS	16 801	25.58
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		44	36.00
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTR
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMEN
		NE555P		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXASINSTRUMENTS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"