Версия для печати
Технические характеристики IRF7343TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.7A, 3.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	740pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF7301		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7301		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)			62.40
		IRF7301		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	225
		IRF7301		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)	ТАИЛАНД
		IRF7301		Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C)	INFINEON
		SMBJ12CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600Вт, 12В	ST MICROELECTRONICS
		SMBJ12CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600Вт, 12В	ST MICROELECTRONICS SEMI
		SMBJ12CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600Вт, 12В	STMicroelectronics
		SMBJ12CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600Вт, 12В	МАРОККО
		SMBJ12CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600Вт, 12В	STMICROELECTR
		SMBJ12CA-TR		Защитный диод двунаправленный 600Вт, 12В
		T2550H-600T		Высокотемпературный бесснабберный симистор на 25а, 600в	ST MICROELECTRONICS
		T2550H-600T		Высокотемпературный бесснабберный симистор на 25а, 600в	ST MICROELECTRONICS SEMI
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		681	16.45
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	880	40.34
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
		ТС112-16-6				18	138.38
		ТС112-16-6			ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ	460	90.00
		ТС112-16-6			ЗАПОРОЖЬЕ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"