Версия для печати

2SA966 Transistor (audio Power Amplifier Applications) Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp 2SA966 datasheet 137.68Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1020		Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)		1	40.70
		2SA1020		Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)	TOSHIBA
		2SA1020		Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)	TOS
		2SA1020		Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)	ON Semiconductor
		2SA1020		Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)	МАЛАЙЗИЯ
		2SA1020		Транзистор PNP lo-sat (50V, 2A, 0.9W, 100MHz)	HOTTECH
		2SA684		Si-P, 60V, 1A, 1W, 200MHz	MATSUSHITA

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF7389PBF		Сдвоенные N/P-канальный транзистор Vси = 30/-30 В, Rоткр = 0.029/0.058 Ом, Id(25°C) ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7389PBF		Сдвоенные N/P-канальный транзистор Vси = 30/-30 В, Rоткр = 0.029/0.058 Ом, Id(25°C) ...
		IRF7389PBF		Сдвоенные N/P-канальный транзистор Vси = 30/-30 В, Rоткр = 0.029/0.058 Ом, Id(25°C) ...	INFINEON
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SEMTECH
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MCC
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс		246	10.08
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	DC COMPONENTS	3 128	6.32
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MASTER INSTRUMENT CO
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MIC	3 740	1.89
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	КИТАЙ	532	9.07
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YJ
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	KINGTRONICS
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY ME	4 462	5.45
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	LGE	17 600	2.07
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	WUXI XUYANG	15 771	5.07
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE (YJ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	1
		TDA3653B		TВ кадpовая pазвеpтка	NXP
		TDA3653B		TВ кадpовая pазвеpтка	PHILIPS	80	109.62
		TDA3653B		TВ кадpовая pазвеpтка	ST MICROELECTRONICS
		TDA3653B		TВ кадpовая pазвеpтка		4	183.15
		TDA3653B		TВ кадpовая pазвеpтка	PHILIPS
		TDA3653B		TВ кадpовая pазвеpтка	КИТАЙ
		TDA3653B		TВ кадpовая pазвеpтка	1
		TDA3653B		TВ кадpовая pазвеpтка	4-7 НЕДЕЛЬ	644
		КР1056УП1				89	102.06
		КР1056УП1			НУКЛОНАС
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		1 959	12.88
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	4 392	12.33
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК	19 905	14.07
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 152	9.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"