|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
692
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2N6039 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 639
|
23.51
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
SGS
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
|
|
48.44
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD677 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 40W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
|
|
91.12
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MJE802 |
|
Транзистор биполярный составной
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
|
318
|
56.00
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
КРЕМНИЙ
|
676
|
93.48
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
БРЯНСК
|
3 334
|
70.00
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ЭЛЬТАВ
|
504
|
20.00
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829А |
|
Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ
|
ЭЛЬДАГ
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRONICS
|
119
|
69.10
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
|
|
30.32
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
44
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD682 |
|
Транзистор биполярный составной PNP+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD681)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
HS077-40 |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFI540N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFI540N |
|
Транзистор полевой
|
|
|
104.12
|
|
|
|
IRFI540N |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
153
|
|
|
|
|
IRFI540N |
|
Транзистор полевой
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFI540N |
|
Транзистор полевой
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
|
|
144.00
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONS
|
128
|
241.01
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MJE15033G |
|
Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)
|
SPTECH
|
852
|
74.98
|
|
|
|
УЗМ-51М |
|
Однофазное устройство защиты предназначено для защиты подключенного к нему ...
|
МЕАНДР
|
|
|
|
|
|
УЗМ-51М |
|
Однофазное устройство защиты предназначено для защиты подключенного к нему ...
|
|
8
|
4 375.00
|
|
|
|
УЗМ-51М |
|
Однофазное устройство защиты предназначено для защиты подключенного к нему ...
|
RUS
|
|
|
|