| Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 8mA, 2A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 4V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Product Change Notification | Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS
|
8
|
102.00
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
|
6
|
76.80
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
BDX33C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=10A, P=70W, B>750, Uce(sat)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
|
28
|
57.60
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
FAIRCHILD
|
21
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
TIP110 |
|
Транзистор NPN-Darl 60V 4A 65W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TIP111 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP111 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TIP111 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
TIP111 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
|
|
35.44
|
|
|
|
|
TIP111 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
FAIRCHILD
|
12
|
|
|
|
|
|
TIP111 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 166
|
|
|
|
|
|
TIP111 |
|
Транзистор биполярный — составной
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
КТ8214А |
|
|
|
|
|
|
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
38 828
|
2.37
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
NXP
|
307
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
PHI
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
NEXPERIA
|
88
|
2.59
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
2.01
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
MURA205T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MURA205T3G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MURA205T3G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MURS260T3G |
|
Диод ultraбыстрый 600В. 2A SMB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MURS260T3G |
|
Диод ultraбыстрый 600В. 2A SMB
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MURS260T3G |
|
Диод ultraбыстрый 600В. 2A SMB
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MURS260T3G |
|
Диод ultraбыстрый 600В. 2A SMB
|
|
|
31.52
|
|
|
|
|
MURS260T3G |
|
Диод ultraбыстрый 600В. 2A SMB
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
К78-2-250-0.47 10% |
|
Плёночный конденсатор 0.47 мкФ 250 В
|
|
|
34.80
|
|
|
|
|
К78-2-250-0.47 10% |
|
Плёночный конденсатор 0.47 мкФ 250 В
|
ПОЛИКОНД
|
|
|
|
Версия для печати
