|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
BF998E6327 |
|
N-канальный полевой транзистор, Vds=12V , Ids=30mA ,Ptot=200mW ,ts=-65.+150
|
|
|
|
|
|
|
CERCAP 0.1/50V 0805 KX7R |
|
Конденсатор керамический: SMD-0805, 0.1 мкФ, +/-10%, 50 В, X7R
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
CERCAP 0.1/50V 0805 KX7R |
|
Конденсатор керамический: SMD-0805, 0.1 мкФ, +/-10%, 50 В, X7R
|
SAM
|
|
|
|
|
|
CERCAP 0.1/50V 0805 KX7R |
|
Конденсатор керамический: SMD-0805, 0.1 мкФ, +/-10%, 50 В, X7R
|
HITA
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
|
|
24.80
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS
|
13 855
|
13.94
|
|
|
|
NL17SZ00DFT2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NL17SZ00DFT2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
NL17SZ00DFT2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4 684
|
|
|
|
|
NL17SZ00DFT2G |
|
|
ONS
|
2 400
|
8.13
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
|
|
84.00
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
TEXAS
|
56
|
38.62
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|